Browsing by Author "Kasikov, Aarne"

Filter results by typing the first few letters
Now showing 1 - 2 of 2
  • Thumbnail Image
    Item
    Extending the Depth of Focus of Infrared Microscope Using a Binary Axicon Fabricated on Barium Fluoride
    (2024) Han, Molong; Smith, Daniel; Kahro, Tauno; Stonytė, Dominyka; Kasikov, Aarne; Gailevičius, Darius; Tiwari, Vipin; Xavier, Agnes Pristy Ignatius; Gopinath, Shivasubramanian; Ng, Soon Hock; Rajeswary, Aravind Simon John Francis; Tamm, Aile; Kukli, Kaupo
    Axial resolution is one of the most important characteristics of a microscope. In all microscopes, a high axial resolution is desired in order to discriminate information efficiently along the longitudinal direction. However, when studying thick samples that do not contain laterally overlapping information, a low axial resolution is desirable, as information from multiple planes can be recorded simultaneously from a single camera shot instead of plane-by-plane mechanical refocusing. In this study, we increased the focal depth of an infrared microscope non-invasively by introducing a binary axicon fabricated on a barium fluoride substrate close to the sample. Preliminary results of imaging the thick and sparse silk fibers showed an improved focal depth with a slight decrease in lateral resolution and an increase in background noise.
  • Thumbnail Image
    Item
    Optical characterization of inhomogeneous thin films
    (2010-06-01T12:58:36Z) Kasikov, Aarne
    Töö tegeleb õhukeste väheneelavate kilede optiliste parameetrite määramisega olukorras, kus kile murdumisnäitajat läbi materjali ei saa lugeda konstantseks. Näidatakse, et mõõdetud läbilaskvusspektri alusel on võimalik määrata murdumisnäitaja struktuuri, kirjeldades kilet Lorentzi dispersioonsõltuvusega, kasutades kahest alakihist koosnevat struktuuri ja mitmeparameetrilist globaalset optimeerimist. Seejuures peab ühe alakihi paksus olema väiksem, kui optiline veerandlaine kasutatavas mõõtepiirkonnas. Demonstreeritakse, et sel viisil arvutuslikult saadud struktuurid on korduvad, kui aurustustingimused pole muutunud. Veel parem lähendus saadakse, kui arvesse on võetud ka sujuv üleminek alakihtide vahel, kuid sel juhul pole kindel, et tulemus kirjeldab kihi struktuuri, aga mitte mõõtmisega kaasnevat müra. Vaakumaurustatud kilede jaoks (MgF2, Y2O3 jt.) annab modelleerimine tulemuseks negatiivse mittehomogeensusega struktuuri, mille korral ülemisel, õhuga kokkupuutes oleval alakihil, on väiksem murdumisnäitaja, kui alumisel, alusega kokkupuutuval alakihil. Kumbal pool paikneb õhuke alakiht, pole võimalik määrata spektrist, kuid neid kaht paigutust ja lineaarse mittehomogeensuse juhtu on võimalik eristada, kui võtta juurde kihi füüsilise paksuse mõõtmise tulemus. Aatomkihtsadestatud kilede jaoks on näidatud, et neil on protsessitingimustest sõltuvalt võimalik nii positiivne kui ka negatiivne mittehomogeensus. TiO2 kilede jaoks on tõestatud, et modelleerimisega on võimalik kihi struktuurist informatsiooni saada ka juhul, kui kile paksusest ei piisa interferentsiekstreemumide tekkeks. Kasvuaegse minimaalse kandegaasi voo korral kujuneb TiO2 kihi korral õhuke, väiksema murdumisnäitajaga, alakiht kontaktis sulakvartsist alusega. Läbilaskvusspektri kasutamine annab võimaluse uurida kile struktuuri lihtsamaid vahendeid kasutades. Reaalsete kilede kirjeldamine murdumisnäitaja mittehomogeensust arvestavas lähenduses lubab ka paremini aru saada mitmekihiliste katete käitumisest ja loodetavasti parandada nende omadusi.