Takistuslülitused titaanalumiiniumoksiid-kiledes
dc.contributor.advisor | Aarik, Jaan, juhendaja | |
dc.contributor.author | Merisalu, Joonas | |
dc.contributor.other | Tartu Ülikool. Loodus- ja täppisteaduste valdkond | et |
dc.contributor.other | Tartu Ülikool. Tehnoloogiainstituut | et |
dc.date.accessioned | 2018-06-14T10:37:29Z | |
dc.date.available | 2018-06-14T10:37:29Z | |
dc.date.issued | 2018 | |
dc.description.abstract | Käesolevas magistritöös uuriti takistuslülituste toimumist aatomkihtsadestatud titaanalumiiniumoksiid-kiledes. Uuritud struktuuride alumine elektrood oli RuO2 ja ülemine elektrood elektronkiiraurustamisega sadestatud Pt. Eesmärgiks oli välja selgitada, kas takistuslülitused toimuvad antud struktuurides ja kui toimuvad, siis milline on TiO2-l põhinevasse dielektrikku lisatud Al2O3 sisaldavate kihtide mõju lülitumistele. Lisaks sellele töötati välja metoodika takistuslülituste tuvastamiseks ja elektriliseks karakteriseerimiseks. Selgitati välja, et kõikides uuritud struktuurides toimuvad takistuslikud lülitused. Al2O3 sisaldava kihi paksuse suurendamine suurendas lülitumiste efektiivsust ja nende kihtide erinev paigutus mõjutas oluliselt juhtivuse sõltuvust ümberlülitamiseks kasutatavast pingest, eriti lülitumisel suure takistusega režiimi. Lisaks kirjeldati käesolevas töös takistuslülituste iseärasusi ja sellest lähtuvalt pakuti välja, millised mehhanismid võisid takistuslülitumisi antud struktuurides põhjustada. | et |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10062/60715 | |
dc.language.iso | est | et |
dc.publisher | Tartu Ülikool | et |
dc.rights | openAccess | et |
dc.rights | Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 Estonia | * |
dc.rights.uri | http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/ee/ | * |
dc.subject | IEEE-488 | en |
dc.subject | LabView | en |
dc.subject.other | magistritööd | et |
dc.subject.other | arvutimälud | et |
dc.subject.other | takistusmälu | et |
dc.subject.other | dünaamiline muutmälu | et |
dc.subject.other | elektrilised mälumaterjalid | et |
dc.subject.other | sondijaam | et |
dc.subject.other | arvutijuhitavad mõõtmised | et |
dc.subject.other | elektrilised mõõtmised ja karakteriseerimine | et |
dc.subject.other | takistuslülitus | et |
dc.subject.other | kiletehnoloogia | et |
dc.subject.other | täppismõõteseadmed | et |
dc.subject.other | compurer memorys | en |
dc.subject.other | DRAM | en |
dc.subject.other | RRAM | en |
dc.subject.other | resistive swiching | en |
dc.subject.other | probestation | en |
dc.subject.other | computer guided measurements | en |
dc.subject.other | electrical measurements and characterization | en |
dc.subject.other | electrical memistors | en |
dc.subject.other | thin film technology | en |
dc.subject.other | precision measurement | en |
dc.title | Takistuslülitused titaanalumiiniumoksiid-kiledes | et |
dc.title.alternative | Resistive switching in Titanium-Aluminium thin films | en |
dc.type | Thesis | en |